MT53E512M32D2NP-046WT:F技术参数型号特性：LPDDR4规格，支持16GB容量（512M×32）。工作电压：核心电压1.8V（VDD1），I/O电压1.1V（VDD2/Q）。频率范围：基础频率2133MHz，数据速率达4266Mb/s/pin。应用场景与兼容性适用于Switch等移动设备的超频改造，支持手持模式2400-2666MHz和底座模式3000MHz以上的频
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三星K4A8G165WC-BCTD是一款8Gb（1GB）容量的DDR4SDRAM存储器芯片，采用96球FBGA封装，具备高性能、低功耗和广泛的应用场景。以下是对该芯片的详细介绍：一、技术参数容量与组织：容量：8Gb（1GB）组织方式：512M×16（64Mbit×16I/Os×8banks）封装与尺寸：封装方式：96球FBGA（FineBallGridArray）尺寸紧凑，适合高密度PCB布局数据
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三星KLM8G1GETF-B041是一款8GB容量的eMMC5.1嵌入式存储芯片，采用FBGA-153封装，具备高速数据传输、低功耗、高可靠性等特点，适用于移动设备、工业控制、车载电子和消费电子等多个领域。核心参数容量与架构：存储容量：8GB（实际可用容量约7.2GB至7.4GB，因算法和ECC冗余差异）。NAND闪存类型：单颗64GbNAND闪存芯片。用户密度：支持增强分区（SLC模式）以提升性
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三星K4B4G1646E-BYMA是一款4Gb（512MB）容量的DDR3LSDRAM内存芯片，采用96球FBGA封装，具备低功耗、高数据传输速率等特点，适用于智能POS机、车载设备、工业智能手持设备等多种场景。核心参数容量与组织：容量：4Gb（512MB）组织架构：通常为256Mwords×16bits×4Banks，即256M个存储单元，每个单元输出16位数据，内部有4个Bank进行管理。速度
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